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时间:2018-08-19编辑: admin 点击率:

  抢先插旗90层TLC市场三星宣布量产第5代V-NAND

  

三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND快闪存储器,第5代V-NAND 堆栈层数超过90层,且为首度支援Toggle DDR 4.0传输界面的NAND快闪存储器,其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps,相较于前一代64层的产品,传输速度提高了40%,并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

  三星电子快闪存储器产品与技术执行副总裁Kye Hyun Kyung表示,第5代V-NAND解决方案将能满足快速成长的高端储存市场,此外,该公司除了宣布量产第5代V-NAND之外,未来也会为V-NAND阵容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的产品,这将继续推动下一世代的NAND储存解决方案发展。

  据悉,第5代V-NAND快闪存储器除了采用全新Toggle DDR 4.0传输界面提升速率之外,也进一步强化性能和功耗,其工作电压从1.8V降至1.2V,写入速度也高达500us,比上一代V-NAND快闪存储器提升了30%,而读取速率的回应时间也缩短到50us。

  此外,该产品内部堆栈超过90层电荷储存式快闪存储器(Charge Trap Flash, CTF) Cell,是目前市面堆栈层数最高的3D NAND TLC架构快闪存储器;这些储存单元透过微管道孔洞连接,每个孔洞只有几百纳米宽,总计包含超过850亿个CTF单元,每个单元可以储存3位元资料。

  另一方面,第5代V-NAND快闪存储器也透过制程技术的改善,使制造生产效率提升30%,并藉由先进制程技术,使每个快闪存储器单元的高度降低20%,减少单位之间干扰的发生率,进而提高资料处理的效率。

  三星指出,该公司目前正加强第5代V-NAND快闪存储器的量产进程,以满足广泛的市场需求,象是高密度储存领域,高效能运算、企业服务器,以及行动装置市场等。环亚ag88.com

  

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